高雄, 2023年11月3日 — 碳化矽(SiC)在半導體領域中至關重要,E&R Technology致力於通過關鍵的SiC整合解決方案提高製程產量。SiC在高溫耐熱性、超高壓容忍度、強大功率能力和最小損失方面超越矽,使其成為汽車和5G行業的理想材料。
E&R SiC Solution
雖然SiC晶圓主要為4英吋和6英吋尺寸,但仍在研發8英吋和12英吋晶圓,儘管面臨製程產量挑戰。ONSEMI、Infineon和Bosch等一級IDM製造商已宣佈2024-2025年擴張和產品計畫。
E&R與全球領先企業和供應商合作,提供關鍵的SiC整合解決方案:
雷射退火: E&R利用自行研發的加速光學解決方案(ACES),採用超短波長雷射實現精確均勻的淺層退火。
晶圓識別標記:憑藉30多年的雷射專業知識,E&R採用355奈米UV雷射,專為SiC設計,滿足精度和產能需求。適用於6英吋、8英吋和12英吋晶圓的正面和背面。
晶圓切割和槽切: E&R採用領先的皮秒和飛秒雷射技術進行切割和槽切,實現最小切割寬度3um。結合機械破裂技術,其機器實現±1um的精度,成功減少晶圓碎片和破裂,同時將熱影響區(HAZ)中的再結晶厚度控制在2um以下。
拉曼光譜: E&R與全球領先晶圓廠合作,引入拉曼光譜技術。通過在晶圓表面或內部照射雷射光,引發拉曼散射,從而通過波形分析獲取晶圓如內部應力、晶格結構、裂紋和元素濃度等基本信息。此技術使客戶能夠全面評估和調整製程參數,從根本上減少各種缺陷導致的損失,最終提高製程產量。
電漿處理: E&R提供各種電漿處理技術,包括LF、RF和微波電漿源。確保晶圓表面在銅線焊接和封裝前的高度均勻清潔處理,表面親水性高,水接觸角小於10度。此外,E&R提出一種減碳電漿處理解決方案,減少碳層,從而加強後續背面金層處理。
E&R將繼續與客戶合作,探索更高效的製造流程,為半導體行業的未來發展貢獻力量。
11月14-17日,E&R將在慕尼黑展覽中心參展Semicon Europa博覽會。歡迎到展台# B2378與E&R進行深入交流。
E&R網站: https://en.enr.com.tw/
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